Amorphe und polykristalline Halbleiter by Walter Heywang

By Walter Heywang

Die faszinierenden Erfolge der modernen Halbleiterelektronik, basie rend auf einkristallinem Silizium sowie den einkristallinen III-V -Halb leitern, haben den Blick so sehr auf sich gezogen, daB einige andere Entwicklungen auf dem Halbleitergebiet weniger B'eachtung fanden. Ge rade neuere Entwicklungen zeigen aber, daB auch diese Sektoren sich durchaus gesund weiterentwickeln mit wichtigen Nutz.ungsgebieten fUr die Elektronik, insbesondere im Bereich peripherer Systeme, wie Sensoren, screens, Elektrophotographie oder aber bei Spezialaufga ben, wie der Thermoelektrik oder dem Uberspannungsschutz. Es er schien daher sinnvoll, die Buchreihe "Halbleiterelektronik" durch ei nen Band zu erganzen, der - ausgehend von den Eigenschaften dieser Sondermaterialien - deren Nutzung in der modernen Elektronik be schreibt. Wegen der Vielgestaltigkeit des Inhalts erschien es mir sinnvoll, die einzelnen Kapitel von den dort genannten Fachleuten gestalten zu las sen. Ich hoffe, daB es trotzdem gelungen ist, einen geschlossenen Uberblick zu geben, wobei aber auf die an einigen Stellen besonders enge Korrelation zum Band "Sensorik" dieser Reihe verwiesen sei. Die ersten Konzeptionen zu einem Buch tiber amorphe und polykristal line Halbleiter wurden noch zusammen mit Herrn Professor Dr. Herbert Weill erarbeitet, der im Marz 1981 tOdlich verungltickte. Unser aller Dank gilt ihm und seiner Initiative.

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Übungen zur Einführung in die Informatik: Strukturierte Aufgabensammlung mit Musterlösungen

Der vorliegende Übungsband enthält Aufgaben zu einer viersemestrigen Vorlesung "Einführung in die Informatik". Er ist eng abgestimmt auf die zweibändige Informatik-Einführung von M. Broy - das Gelernte kann so von der Theorie in die Praxis umgesetzt werden. Neben Aufgaben, die alle wichtigen Themengebiete der Einführung abdecken, werden vertiefende und weiterführende Aufgaben angeboten.

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Betrachtet guy den ProzeB des Konstruierens hinsichtlich sei ner Tatigkeiten, so kann guy feststellen, daB bei ihm vor al lem Informationen gewonnen, verarbeitet und ausgegeben werden mussen; guy spricht von einem Informationsumsatz / 1 /. Ein hoher Zeitanteil wird hierbei fur die Informationsbeschaf fung benotigt, die je nach Tatigkeitsbereich 15% bis 20% der gesamten Konstruktionszeit betragt / 2 /.

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E CI. ~ ""1;; g ~ 50 0,2 0,4 0,6 Spannung U - 0,8 V I,D Bild 1. 20. Kennlinie einer pin-Solarzelle aus amorphem Silizium. Is c ist der KurzschluBstrom, U a die Leerlaufspannung. Die Solarzelle wurde mit Sonnenlicht von 1000 W/ m Z Leistungsdichte beleuchtet. Der Wirkungsgrad dieser Zelle von 1,19 cm z FHiche bei Betrieb im Arbei tspunkt maximaler Leistungsentnahme (Fiillfaktor 0,6) betragt 5,7%. 42J Der zweite entscheidende Faktor, der KurzschluBstrom, wird von den absorbierten Lichtquanten bestimmt.

Die ProzeBschritte beim elektrophotographischen Umdruck. In einem Kopiergerat ist der Photoleiter meist auf einer rotierenden Trommel aufgebracht und lauft periodisch an den ProzeBstationen vorbeL Zur Entwicklung (Schritt 4) werden elektrisch geladene Farbpartikel (Toner) aus einem Vorratsbeha lter in enge Berlihrung mit der Photoleiteroberflache gebracht. Die (negative) Ladung an der Grenzflache Metallunterlage/ Photoleiter wird durch Influenz von der aufgesprlihten (positiven) Ladung erzeugt 42 duzierten Ladungstragererzeugung entsprechen erst fUr groBe angelegte Felder der spektralen Lage der optischen Absorptionskante.

Wenn diese kleiner als die Transitzeit (10- 6 bis 10- 3 s) ist, erfolgt nur eine teilweise Entladung des Photoleiters. Die Schichtdicke soUte also nicht groBer sein als der effektive Schubweg (11 T E) beim wirksamen Feld E. Beim Fortschreiten der Entladung verkleinert sich das Feld unvermeidlich, so daB der effektive Schubweg immer kiirzer wird. Trotz intensiver Belichtung verbleibt also stets ein sogenanntes Restpotential. B. Geisterdruck, verursachen. Eine wesentliche Forderung an einen geeigneten elektrophotographischen 44 + + + Photoleiter Haftstelle metallische Unterlage Bild 1.

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