Darstellung von Mischkristall-Karbiden im Plasmabrenner by Prof.-Dr.-Ing. Helmut Winterhager, Dr.-Ing. Hans-Peter Krug

By Prof.-Dr.-Ing. Helmut Winterhager, Dr.-Ing. Hans-Peter Krug (auth.)

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Betrachtet guy den ProzeB des Konstruierens hinsichtlich sei ner Tatigkeiten, so kann guy feststellen, daB bei ihm vor al lem Informationen gewonnen, verarbeitet und ausgegeben werden mussen; guy spricht von einem Informationsumsatz / 1 /. Ein hoher Zeitanteil wird hierbei fur die Informationsbeschaf fung benotigt, die je nach Tatigkeitsbereich 15% bis 20% der gesamten Konstruktionszeit betragt / 2 /.

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SN<~luft, J' ... "! Abb. 22: Hikrosondenaufnahme im System VC-TiC 48 22mol-% TiC VC-TiC E Ti v 10000 Imp/s 10000 Imp/s Ti Abb. /) 13 mol %Ti C I ' ~ E v v Ti v Ti Abb. _. 50 ~+y Abb. \ ~ - % III e(O 'b /~e({l\> ~o 9. --~ 1°C] 3000 ! T 2500 2000 a Abb. 25: Quaslblnarer Schnitt VC-NbC (qualitatlv) I ~? 10 20 :J :1 I 30 40 50 60 - - N b C /mo{·%j Abb. 0 50 100 - - NbC /mof- %J Gitferparameter(a)und Stdchiometriefaktor (fl der Mischkristallkarblde im System VC-NbC Abb. 27: Gitterparameter (a) und St6chiornetriefaktor (f) der Mischkristallkarbide im System VC-NbC 53 NbC - VC 13 mol%NbC , V;:;; E v v Abb.

D Abb. 38 11: Anschliffe im System WC-TiC 11 . Iit~~ W •• fJf. - - - -- ____________ _. - -- - - ---_'___t _ 11 • SO ,. " ' ~IHIO'. _. Abb. I E 12: Mikrosondenaufnahme im System We-Tie 39 WC-TiC 29mol-% TiC Ti 10000 Imp/s w Abb . 13: Mikrosondenaufnahrne irn Syster 40 WC-TiC 29mo/-% TiC E W 10000 Imp/s W Abb. ",..... " - ~ ... ,, 41 49, 4 mol-% TiC WC-TiC Ti 10000 Imp/s Ti Abb. 15: Mikrosondenaufnahme im System We-TiC 42 w WC-TiC 49,4mol-% TiC -, Ti 10000 Imp/s W 10000 Impjs Ti Ti '3000 Imp/s Abb.

A .. /"'" " . ".............. ~ - . ~- ~--- - I 20 I 40 I I 60 80 - ---- - TiC/mol-%/ Abb. 20: Gitterparameter (a) und Dichte (p) von Mischkristallkarbiden 1m System TiC- VC 46 mol%TiC T i G -VC 13 e 40 b . I . ,. ... ' ..... - . ' ,~ c 74 , ( d Abb. -. ~ ', . - '- E v .. ZOft ... l\~ fr . . ,sN<~luft, J' ... "! Abb. 22: Hikrosondenaufnahme im System VC-TiC 48 22mol-% TiC VC-TiC E Ti v 10000 Imp/s 10000 Imp/s Ti Abb. /) 13 mol %Ti C I ' ~ E v v Ti v Ti Abb. _. 50 ~+y Abb. \ ~ - % III e(O 'b /~e({l\> ~o 9.

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